发明名称 全双工传输电路和电子装置
摘要 本发明公开了全双工传输电路和电子装置。此处公开了全双工传输电路,该全双工传输电路包括:第一内部输入端子,该第一内部输入端子接收将要发送的信号;第二内部输入端子,该第二内部输入端子接收幅度等于将要发送的信号的幅度的1/2倍并且相位与将要发送的信号的相位相同的信号;外部输入/输出端子;内部输出端子;第一金属氧化物半导体晶体管;以及第二金属氧化物半导体晶体管。由电流源所生成的电流以及第一金属氧化物半导体晶体管和第二金属氧化物半导体晶体管的大小被设置,使得第一金属氧化物半导体晶体管和第二金属氧化物半导体晶体管的跨导变为等于1/Z。
申请公布号 CN102546139A 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN201110431923.9 申请日期 2011.12.16
申请人 索尼公司 发明人 清水达夫;大前宇一郎
分类号 H04L5/14(2006.01)I 主分类号 H04L5/14(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人 宋鹤
主权项 一种全双工传输电路,包括:第一内部输入端子,该第一内部输入端子接收将要发送的信号;第二内部输入端子,该第二内部输入端子接收幅度等于所述将要发送的信号的幅度的1/2倍并且相位与所述将要发送的信号的相位相同的信号;外部输入/输出端子,该外部输入/输出端子连接到具有特性阻抗Z的传输线;内部输出端子,该内部输出端子输出从所述外部输入/输出端子输入的接收信号;第一金属氧化物半导体晶体管,该第一金属氧化物半导体晶体管的源极连接到电流源和所述外部输入/输出端子,其栅极连接到所述第一内部输入端子,并且其漏极连接到第二金属氧化物半导体晶体管的源极和所述内部输出端子;以及所述第二金属氧化物半导体晶体管,该第二金属氧化物半导体晶体管的源极连接到所述第一金属氧化物半导体晶体管的漏极和所述内部输出端子,并且其栅极连接到所述第二内部输入端子,其中,由所述电流源所生成的电流以及所述第一金属氧化物半导体晶体管和所述第二金属氧化物半导体晶体管的大小被设置,使得所述第一金属氧化物半导体晶体管和所述第二金属氧化物半导体晶体管的跨导变为等于1/Z。
地址 日本东京都
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