| 发明名称 | OTP器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种OTP器件制造方法，该方法包括：提供基底，所述基底上包括选择栅和浮栅；通过预沉积和主沉积两个工艺过程在所述浮栅上形成硅化金属阻挡层；其中，所述预沉积工艺过程用于稳定腔体工艺状态，所述主沉积工艺过程用于增加形成硅化金属阻挡层的厚度。通过本发明所提供的OTP器件制造方法，能够在所述浮栅上形成较厚的硅化金属阻挡层，从而可避免后续等离子体的轰击而形成较多的损伤和缺陷，在OTP器件被编程后，可避免浮栅中的电荷泄露出去，避免了漏电流的增加，进而提高了OTP器件的使用寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN102543884A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010593583.5 | 申请日期 | 2010.12.17 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 王智勇;王德进;张磊 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮;李辰 |
| 主权项 | 一种OTP器件制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上包括选择栅和浮栅；通过预沉积和主沉积两个工艺过程在所述浮栅上形成硅化金属阻挡层；其中，所述预沉积工艺过程用于稳定腔体工艺状态，所述主沉积工艺过程用于增加形成硅化金属阻挡层的厚度。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||