一种InGaN半导体光电极的制作方法

摘要

本发明公开了一种InGaN半导体光电极的制作方法，该方法包括：步骤1：取一衬底(21)；步骤2：在该衬底(21)上外延生长InGaN层(22)；步骤3：在该InGaN层(22)上制作形成纳米微结构层(31)；步骤4：在该InGaN纳米微结构层(31)上，外延生长或沉积n型或p型表面层(41)。利用本发明，将纳米结构引入到半导体光电极表面，大大降低了电极表面对光的反射，提高了电极与电解液的有效接触面积，增加了电化学反应效率，最大程度地提高了半导体光电极对太阳光的转换效率。

主权项

一种InGaN半导体光电极的制作方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：取一衬底(21)；步骤2：在该衬底(21)上外延生长InGaN层(22)；步骤3：采用纳米加工技术或外延生长方法在该InGaN层(22)上制作形成纳米微结构层(31)；步骤4：在该InGaN纳米微结构层(31)上，外延生长或沉积n型或p型表面层(41)；其中，利用纳米加工技术在该InGaN层(22)上制作形成纳米微结构层(31)包括：首先制备纳米尺度的掩膜，然后采用干法或湿法刻蚀在InGaN层(22)表面制备纳米微结构层(31)；其中利用外延生长方法是在InGaN层(22)上直接生长纳米微结构层(31)。