| 发明名称 | 一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法，该单元结构包括集成电路衬底、位于集成电路衬底上的第一绝缘介质层、被第一绝缘介质层包围并与集成电路衬底连接的驱动二极管、被第一绝缘介质层包围并位于驱动二极管上的过渡层、位于第一绝缘介质层上的第二绝缘介质层、被第二绝缘介质层包围并位于过渡层上的下电极、位于第二绝缘介质层上的第三绝缘介质层、被第三绝缘介质层包围并位于下电极上的相变材料层和位于相变材料层上的上电极；所述的过渡层的热导率为0.01W/m·K～20W/m·K。该结构可有效地减少从下电极的热损耗，提高加热效率，并通过对驱动二极管的加热提高其正向导通电流，从而达到降低相变存储器功耗的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN101834273B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010102213.7 | 申请日期 | 2010.01.28 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 杜小锋;马小波;宋志棠;刘卫丽 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍;余明伟 |
| 主权项 | 一种降低相变存储器功耗的单元结构，其特征在于：该单元结构包括集成电路衬底(1)、位于集成电路衬底(1)上的第一绝缘介质层(2)、被第一绝缘介质层(2)包围并与集成电路衬底(1)连接的驱动二极管(3)、被第一绝缘介质层(2)包围并位于驱动二极管(3)上的过渡层(4)、位于第一绝缘介质层(2)上的第二绝缘介质层(5)、被第二绝缘介质层(5)包围并位于过渡层(4)上的下电极(6)、位于第二绝缘介质层(5)上的第三绝缘介质层(7)、被第三绝缘介质层(7)包围并位于下电极(6)上的相变材料层(8)和位于相变材料层(8)上的上电极(9)；所述的过渡层(4)的热导率为0.01W/m·K～20W/m·K。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||