记忆胞、记忆体装置及记忆胞的制造方法

摘要

本发明是有关于一种记忆胞、记忆体装置及记忆胞的制造方法。该记忆胞，包括基底、堆叠栅极结构及第一隔离结构。基底具有第一掺杂区、第二掺杂区与通道区，通道区位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。堆叠栅极结构设置于通道区上，堆叠栅极结构由下而上至少包括电荷陷入层及栅极。第一隔离结构设置基底中，第一隔离结构连接于第一掺杂区并向第一掺杂区的下方延伸一预定长度，且第一隔离结构的底部低于第一掺杂区的底部。本发明通过在记忆胞的源极与漏极的掺杂区下方设置隔离结构，藉此可防止游离的电子移动到相邻的记忆胞而造成写入干扰。

主权项

一种记忆胞，其特征在于其包括：一基底，具有一第一掺杂区、一第二掺杂区与一通道区，该通道区位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间；一堆叠栅极结构，设置于该通道区上，该堆叠栅极结构由下而上至少包括一电荷陷入层及一栅极；一第一隔离结构，设置于该基底中，该第一隔离结构连接于该第一掺杂区并向该第一掺杂区的下方延伸一预定长度，且该第一隔离结构的底部低于该第一掺杂区的底部；以及一第二隔离结构，设置于该基底中，其中该第二隔离结构连接于该第二掺杂区并向该第二掺杂区的下方延伸该预定长度，且该第二隔离结构的底部低于该第二掺杂区的底部。