| 发明名称 | 自对准金属硅化物的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，半导体基底表面至少有一硅区域；在半导体基底的表面形成第一金属层；第一次快速退火，形成第一金属硅化物层；刻蚀去除第一金属层中未发生反应的部分；在第一金属硅化物层上沉积形成生长层；在半导体基底的表面形成第二金属层；第二次快速退火，形成第二金属硅化物层；刻蚀去除第二金属层中未发生反应的部分。本发明防止镍铂合金在退火过程中出现扩散过快现象，避免造成漏源和半导体基底接触面出现桥结问题而产生漏电流，严重影响集成电路保存能力。 | ||
| 申请公布号 | CN102044422B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN200910197368.0 | 申请日期 | 2009.10.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 孔祥涛;卢炯平;杨瑞鹏;聂佳相 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；在半导体基底的表面形成第一金属层；第一次快速退火，形成第一金属硅化物层；刻蚀去除第一金属层中未发生反应的部分；在第一金属硅化物层上沉积形成生长层；在所述半导体基底的表面形成第二金属层；第二次快速退火，形成第二金属硅化物层；刻蚀去除第二金属层中未发生反应的部分。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||