一种致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法

摘要

一种致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法，涉及电子材料。本发明包括下述步骤：A、以纳米级的片状高纯度的碱式碳酸镁为原料，700～1000℃高温煅烧得到纳米氧化镁粉体；B、将煅烧得到的纳米氧化镁粉体加压成型，得到氧化镁陶瓷素坯；C、氧化镁陶瓷素坯经过1℃/min～30℃/min的速率升温到设定的烧结温度；其中烧结温度为1300℃，保温烧结时间为180分钟。本发明采用合适的成型压力(800MPa)和合适的升温速率(10℃/min)，通过无压烧结的方法制备出相对密度高达98.2％的致密氧化镁陶瓷。

主权项

一种致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法，其特征在于，包括下述步骤：A、以纳米级的片状高纯度的碱式碳酸镁为原料，700～1000℃高温煅烧得到纳米氧化镁粉体，煅烧温度为阶梯式分布的3个温度，分别为800℃、900℃、1000℃，煅烧时间均为2小时；B、将煅烧得到的纳米氧化镁粉体加压成型，得到氧化镁陶瓷素坯，成型压力为阶梯式分布的3个压力值，分别为320MPa、480MPa、640MPa，加压时间均为2分钟；C、氧化镁陶瓷素坯经过1℃/min～30℃/min的速率升温到设定的烧结温度；其中烧结温度为1300℃，保温烧结时间为180分钟。