发明名称 曝光制程、像素结构的制造方法及其使用的半调式光掩模
摘要 本发明公开了一种半调式光掩模,适用于一曝光制程中,而形成尺寸均匀的多个光阻图案。此半调式光掩模包括透明基板、以及多个光掩模图案。这些光掩模图案是沿着一设定方向设置于透明基板上,其中,光掩模图案的尺寸是沿着设定方向而渐进变化。因此,即使在大尺寸基板上的不同区域存在曝光精度不相同的情形下,仍可利用渐进补偿方式制作尺寸均匀的光阻图案。另外,使用此半调式光掩模的曝光制程与像素结构的制造方法也被提出。
申请公布号 CN101369095B 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN200710142320.0 申请日期 2007.08.13
申请人 中华映管股份有限公司 发明人 洪国峰;张原豪
分类号 G03F1/00(2012.01)I;G03F1/32(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F1/00(2012.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 左一平
主权项 一种半调式光掩模,适用于一曝光制程中,而形成尺寸均匀的多个光阻图案,其特征在于,该半调式光掩模包括:一透明基板;以及多个光掩模图案,沿着一设定方向设置于该透明基板上,其中,该些光掩模图案的尺寸是沿着该设定方向而渐进变化,每一该些光掩模图案包括:一半透光区;以及一遮光区,设置于该半透光区的周围;其中,该半透光区的尺寸是沿着该设定方向而渐进变化;当该些光掩模图案的尺寸是沿着该设定方向而渐进变小时,该些半透光区的尺寸是沿着该设定方向而渐进变大,该些遮光区的尺寸是沿着该设定方向而渐进变小;当该些光掩模图案的尺寸是沿着该设定方向而渐进变大时,该些半透光区的尺寸是沿着该设定方向而渐进变小,该些遮光区的尺寸是沿着该设定方向而渐进变大。
地址 中国台湾台北市中山北路三段二十二号