发明名称 |
曝光制程、像素结构的制造方法及其使用的半调式光掩模 |
摘要 |
本发明公开了一种半调式光掩模,适用于一曝光制程中,而形成尺寸均匀的多个光阻图案。此半调式光掩模包括透明基板、以及多个光掩模图案。这些光掩模图案是沿着一设定方向设置于透明基板上,其中,光掩模图案的尺寸是沿着设定方向而渐进变化。因此,即使在大尺寸基板上的不同区域存在曝光精度不相同的情形下,仍可利用渐进补偿方式制作尺寸均匀的光阻图案。另外,使用此半调式光掩模的曝光制程与像素结构的制造方法也被提出。 |
申请公布号 |
CN101369095B |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN200710142320.0 |
申请日期 |
2007.08.13 |
申请人 |
中华映管股份有限公司 |
发明人 |
洪国峰;张原豪 |
分类号 |
G03F1/00(2012.01)I;G03F1/32(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/00(2012.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
左一平 |
主权项 |
一种半调式光掩模,适用于一曝光制程中,而形成尺寸均匀的多个光阻图案,其特征在于,该半调式光掩模包括:一透明基板;以及多个光掩模图案,沿着一设定方向设置于该透明基板上,其中,该些光掩模图案的尺寸是沿着该设定方向而渐进变化,每一该些光掩模图案包括:一半透光区;以及一遮光区,设置于该半透光区的周围;其中,该半透光区的尺寸是沿着该设定方向而渐进变化;当该些光掩模图案的尺寸是沿着该设定方向而渐进变小时,该些半透光区的尺寸是沿着该设定方向而渐进变大,该些遮光区的尺寸是沿着该设定方向而渐进变小;当该些光掩模图案的尺寸是沿着该设定方向而渐进变大时,该些半透光区的尺寸是沿着该设定方向而渐进变小,该些遮光区的尺寸是沿着该设定方向而渐进变大。 |
地址 |
中国台湾台北市中山北路三段二十二号 |