发明名称 溅射设备和膜沉积方法
摘要 本发明提供一种能够形成磁各向异性的方向的变化减小的磁性膜的溅射设备和膜沉积方法。本发明的溅射设备设置有:可转动的阴极(802)、可转动的台架(801)和可转动的遮蔽板(805)。溅射设备控制阴极(802)、台架(801)和遮蔽板(805)中的至少一方的转动,使得在溅射过程中,使从靶材(803a)产生的溅射粒子中的以相对于基板(804)的法线成0°以上50°以下的角度入射的溅射粒子入射到基板(804)。
申请公布号 CN101855381B 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN200880101880.4 申请日期 2008.12.22
申请人 佳能安内华股份有限公司 发明人 远藤彻哉;爱因斯坦·诺埃尔·阿巴拉
分类号 C23C14/34(2006.01)I;H01F41/18(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;张会华
主权项 一种溅射设备,所述溅射设备包括:阴极,所述阴极具有溅射靶材支撑面,所述溅射靶材支撑面能绕第一转轴转动;台架,所述台架具有基板支撑面,所述基板支撑面能绕与所述第一转轴平行地布置的第二转轴转动;以及遮蔽板,所述遮蔽板被布置于所述溅射靶材支撑面和所述基板支撑面之间,并且所述遮蔽板能绕所述第一转轴或所述第二转轴转动,其中,所述溅射靶材支撑面、所述基板支撑面和所述遮蔽板中的至少一方的转动被控制成使得:在溅射过程中,使从支撑于所述溅射靶材支撑面的溅射靶材产生的溅射粒子中的以相对于所述基板支撑面的法线成0°以上50°以下的角度入射的溅射粒子入射到支撑于所述基板支撑面的基板。
地址 日本神奈川县
您可能感兴趣的专利