| 发明名称 | 半导体可变电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体可变电容器及其制造方法。该半导体可变电容器包括电容器和第二导电类型的p阱(14)。该电容器包括：形成在半导体衬底(10)的第一区域中的n阱(16)；形成在半导体衬底(10)上方的绝缘膜(18)；以及形成在n阱(16)上方的栅极20n，其中绝缘膜(18)插置在n阱(16)与栅极(20n)之间。该p阱(14)形成在与半导体衬底(10)的第一区域相邻的第二区域中。该栅极(20n)具有延伸至第二区域的端部，并形成在p阱(14)上方，其中绝缘膜(18)插置在p阱(14)与栅极(20n)之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101276846B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN200810087413.2 | 申请日期 | 2008.03.27 |
| 申请人 | 富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 二木俊郎 |
| 分类号 | H01L29/94(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/94(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张龙哺;冯志云 |
| 主权项 | 一种半导体可变电容器，包括：第一导电类型的第一阱，在半导体衬底的第一区域中形成；绝缘膜，在该半导体衬底上方形成；栅极，在该第一阱上方形成，其中该绝缘膜插置在该第一阱与该栅极之间；第二导电类型的第二阱，其形成在与该半导体衬底的第一区域相邻的第二区域中；一对第一导电类型的第一杂质扩散区，其设置在该第一区域的半导体衬底中，夹置位于该栅极下方的该第一阱，并电连接至该第一阱；以及第二导电类型的第二杂质扩散区，其设置在该第二区域的半导体衬底中，并电连接至该第二阱，该栅极具有延伸至该第二区域的端部，并且形成在该第二阱上方，其中该绝缘膜插置在该第二阱与该栅极之间。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县横浜市 | ||