非易失性存储元件

摘要

一种非易失性存储元件，具有：第一电极(106)；第二电极(104)；以及电阻变化层(115)，该电阻变化层(115)介于第一电极(106)和第二电极(104)之间、基于施加到两电极之间的电信号，电阻值可逆地变化。电阻变化层(115)具有第一过渡金属氧化物层(115I)、第二过渡金属氧化物层(115II)、以及第三过渡金属氧化物层(115III)，以第一过渡金属氧化物层(115I)、第二过渡金属氧化物层(115II)、以及第三过渡金属氧化物层(115III)的顺序层叠，各层的含氧率以第一过渡金属氧化物层、第二过渡金属氧化物层、以及第三过渡金属氧化物层的顺序降低，并且，所述第三过渡金属氧化物层(115III)的膜厚比所述第二过渡金属氧化物层(115II)的膜厚要厚。

主权项

非易失性存储元件，具有：第一电极；第二电极；以及电阻变化层，该电阻变化层介于所述第一电极和所述第二电极之间，并基于被施加到这两电极之间的电信号，电阻值可逆地变化，该非易失性存储元件的特征在于，所述电阻变化层具有如下结构：所述电阻变化层具有第一过渡金属氧化物层、第二过渡金属氧化物层、以及第三过渡金属氧化物层，并以所述第一过渡金属氧化物层、所述第二过渡金属氧化物层、以及所述第三过渡金属氧化物层的顺序层叠，其中，所述第一过渡金属氧化物层具有由MOx表示的组成，所述第二过渡金属氧化物层具有由MOy表示的组成，所述第三过渡金属氧化物层具有由MOz表示的组成，其中，M表示过渡金属，O表示氧，x＞y，y＞z；所述第三过渡金属氧化物层的膜厚比所述第二过渡金属氧化物层的膜厚要厚。