一种适用于石墨烯基场效应管制造的纳米光刻方法

摘要

本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种适用于石墨烯基场效应管制造的纳米光刻方法。该方法包括采用接触探针热还原法对任意衬底上的石墨烯氧化物进行可控还原，通过控制探针温度来控制还原石墨烯氧化物的成分从而控制沟道电阻率。利用单原子尺寸热接触探针在石墨烯氧化物上直写石墨烯基场效应管，可以实现石墨烯基纳米场效应管的光刻制造工艺，简化石墨烯场效应管制备的复杂性，从而降低了工艺实施的困难程度。单原子级热探针直写石墨烯场效应管技术还可以提供石墨烯基传感器、射频器件等制备的图形化技术，也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。

主权项

一种单原子级热探针直写石墨烯场效应管的方法，其特征在于具体步骤为： 利用化学气相沉积方法在提供的衬底上形成石墨烯层；对所述石墨烯层进行氧化处理形成石墨烯氧化物；利用温度可控的纳米尺寸热接触探针使得接触区部分石墨烯氧化物还原成为高导电率的石墨烯，形成石墨烯场效应管的源极、漏极和控制栅极；利用温度可控的纳米尺寸热接触探针在所述源极与漏极之间形成渐变型石墨烯与石墨烯氧化物的混合物，形成石墨烯极场效应管的沟道区域；所述纳米尺寸为单原子—50纳米。