| 发明名称 | 相变化存储元件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种相变化存储元件及其形成方法。该相变化存储元件包括：第一电极及第二电极；相变化材料层电性连结该第一电极及该第二电极；以及至少二电性孤立导体，形成于该第一电极及该第二电极间并与该第一电极及该第二电极分隔，且直接与该相变化材料层接触。 | ||
| 申请公布号 | CN101740716B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN200910134896.1 | 申请日期 | 2009.04.15 |
| 申请人 | 西格斯教育资本有限责任公司 | 发明人 | 陈达;蔡铭进 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种相变化存储元件，包含：第一电极及第二电极；相变化材料层，电性连结该第一电极及该第二电极；以及至少二作为电性孤立导体的金属间隙壁，形成于该第一电极及该第二电极之间并与该第一电极及该第二电极分隔，且直接与该相变化材料层接触，其中该相变化材料层直接覆盖每个电性孤立导体的除了底面之外的所有表面。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||