纳米器件的接纳结构及相应的制造方法

摘要

一种纳米组件的接纳结构，包括：基片(1)，第一多间隔物层(70)，其包含第一多个间隔物(5a)，所述第一多个间隔物(5a)包括相互平行的第一导电间隔物(5a)，以及至少一个第二多间隔物层(71)，其在所述第一多间隔物层(70)上实现，并且包含第二多个间隔物(7)，所述第二多个间隔物(7)和所述第一多个间隔物(5a)横向地布置，并且至少包括不连续的下绝缘层(8)和上层，所述上层依次包含第二导电间隔物(11a)。特别地，第二多间隔物层(71)的每对间隔物(7)和第一多间隔物层(70)的间隔物(5a)限定了至少具有第一和第二导电终端(13a，13b)的多个纳米接纳座(15)，所述第一和第二导电终端(13a，13b)由在接纳座(15)中面对的第一导电间隔物(5a)和第二导电间隔物(11a)的部分实现。同样说明了用于制造这样的结构的方法。

主权项

一种纳米组件的接纳结构，其特征在于包括：基片，第一多间隔物层，其包括条状的第一多个间隔物，所述条状的第一多个间隔物在所述基片之上被实现并且包括相互平行的第一导电间隔物，以及至少一个第二多间隔物层，其在所述第一多间隔物层上面实现，并且包含第二多个间隔物，所述第二多个间隔物关于所述第一多个间隔物横向地布置，并且至少包括不连续的下绝缘层和上层，所述上层包括第二导电间隔物，所述不连续的下绝缘层隔开了第一多间隔物层以及第二多间隔物层的间隔物的导电层；多个纳米接纳座，每个包含由所述第一多间隔物层的间隔物的部分限定的底部，和由所述第二多间隔物层的每对连续的间隔物的部分限定的侧面部分，所述纳米接纳座中的每个的所述第一多间隔物层的第一导电间隔物和至少一个所述第二多间隔物层的第二导电间隔物分别限定第一和第二导电终端；以及至少第三多间隔物层，所述第三多间隔物层包括第三多个间隔物，所述第三多个间隔物关于所述第二多个间隔物横向地布置，并且至少包括不连续的下绝缘层和上层，所述上层包括第三导电间隔物，所述第二多间隔物层的每对所述间隔物和所述第一多间隔物层的间隔物以及所述第三多间隔物层的间隔物限定了至少一个纳米接纳座，其至少具有第一、第二和第三导电终端，所述第一、第二和第三导电终端由在所述接纳座中面对的所述第一导电间隔物和所述第二导电间隔物以及所述第三导电间隔物的部分实现。