发明名称 一种平面-本体异质结集成结构太阳能电池及其制备方法
摘要 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种平面-本体异质结集成结构太阳能电池及其制备方法。本发明太阳能电池包括依次层叠的玻璃衬底、阳极、阳极修饰层、光电活化层、阴极,其特征在于在阳极修饰层和光电活化层之间设有厚度为2-30nm的共轭聚合物电子给体材料层,用旋转涂膜或喷墨打印的方法制备共轭聚合物电子给体材料涂层和共轭聚合物电子给体材料与半导体纳米晶电子受体材料混合而成的光电活化层。本发明兼备平面结构和本体异质结结构电池的优点,具有制作工艺简单、控制容易,重现性好,可溶液加工等多种优点,同时使用该结构的太阳能电池较普通本体异质结结构的能量转换效率有显著提高。
申请公布号 CN101692481B 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN200910093531.9 申请日期 2009.10.12
申请人 华北电力大学 发明人 谭占鳌;杨勇平
分类号 H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I 主分类号 H01L51/42(2006.01)I
代理机构 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人 童晓琳
主权项 一种平面‑本体异质结集成结构太阳能电池,包括依次层叠的玻璃衬底(1)、阳极(2)、阳极修饰层(3)、光电活化层(4)、阴极(5),其特征在于在阳极修饰层(3)和光电活化层(4)之间设有共轭聚合物电子给体材料层(6),所述共轭聚合物电子给体材料层厚度为2‑30nm,所述共轭聚合物电子给体材料选自:聚(对亚苯基亚乙烯)类、聚(亚芳基亚乙烯基)类、聚(对亚苯基)类、聚(亚芳基)类、聚噻吩类、聚喹啉类。
地址 102206 北京市德胜门外朱辛庄华北电力大学