| 发明名称 | 形成石墨烯氧化物图案和石墨烯图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的形成石墨烯氧化物图案的方法包括：(1)准备基底；(2)在基底的至少一个表面上制备疏水的自组装单分子膜；(3)用掩模覆盖所述疏水的自组装单分子膜后采用紫外线灯曝光，并在曝光后去除掩模，得到该至少一个表面含有图案化的自组装单分子膜模板的基底；(4)用石墨烯氧化物量子点的水溶液覆盖所述图案化的自组装单分子膜模板，干燥，从而在基底的该至少一个表面上形成石墨烯氧化物图案。本发明克服了现有技术中所制备的石墨烯氧化物图案不具有特征光学性质的缺陷，制备得到了具有激发依赖荧光特性的石墨烯氧化物图案。本发明的方法开拓了制备石墨烯氧化物图案的新的思路。 | ||
| 申请公布号 | CN102530929A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010616632.2 | 申请日期 | 2010.12.30 |
| 申请人 | 国家纳米科学中心 | 发明人 | 韩宝航;承倩怡;吴冲;周鼎;孙树清 |
| 分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人 | 陈小莲;王凤桐 |
| 主权项 | 一种形成石墨烯氧化物图案的方法，该方法包括：(1)准备基底；(2)在基底的至少一个表面上形成疏水的自组装单分子膜；(3)用掩模覆盖所述疏水的自组装单分子膜后采用紫外线灯曝光，并在曝光后去除掩模，得到该至少一个表面含有图案化的自组装单分子膜模板的基底；(4)用石墨烯氧化物量子点的水溶液覆盖所述图案化的自组装单分子膜模板，干燥，从而在基底的该至少一个表面上形成石墨烯氧化物图案。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村北一条11号 | ||