非易失性存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器件及其制造方法。所述非易失性存储器件包括沿着第一方向延伸的沟道结构，所述沟道结构包括交替层叠在衬底之上的多个层间电介质层和多个沟道层以使每个层间电介质层与多个沟道层中对应的沟道层相邻。字线在沟道结构之上沿着与第一方向交叉的第二方向延伸，栅电极沿着向下的方向突出于字线以与沟道结构的侧壁接触。存储器栅绝缘层被插入到栅电极与沟道结构之间，其中，与层间电介质层的侧壁相比，沟道层的与栅电极接触的侧壁向栅电极突出。

主权项

一种非易失性存储器件，包括：沿着第一方向延伸的沟道结构，所述沟道结构包括交替层叠在衬底之上的多个层间电介质层和多个沟道层以使每个层间电介质层与所述多个沟道层中对应的沟道层相邻；所述沟道结构之上的字线，所述字线被配置为沿着与所述第一方向相交叉的第二方向延伸；栅电极，所述栅电极被配置为沿着向下的方向突出于所述字线并且与所述沟道结构的侧壁接触；以及存储器栅绝缘层，所述存储器栅绝缘层被配置为插入到所述栅电极与所述沟道结构之间，其中，与所述层间电介质层的侧壁相比，所述沟道层的与所述栅电极接触的侧壁向所述栅电极突出。