室温等离子体刻蚀制备半导体性单壁碳纳米管的方法

摘要

本发明涉及一种室温等离子体刻蚀制备半导体性单壁碳纳米管的方法，首先把均匀分散在有机溶剂中的碳纳米管溶液滴在载玻片上并烘干；然后将烘干后载玻片放入等离子处理设备中并抽真空至10-2Pa。通过调控刻蚀过程等离子体处理腔内低压气体的压力、等离子体功率、刻蚀时间等参数来实现金属性单壁碳纳米管的刻蚀，从而留下半导体性单壁碳纳米管。与现有技术相比，本发明采用室温等离子体刻蚀法制备半导体性单壁碳纳米管，工艺简单、便于大面积制备半导体单壁碳纳米管。

主权项

室温等离子体刻蚀制备半导体性单壁碳纳米管的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)将均匀分散在有机溶剂中的碳纳米管滴在载玻片上并烘干；(2)将烘干后载玻片放入等离子处理设备中并抽真空至10‑2Pa；(3)调节等离子体处理腔内低压气体的压力、等离子体功率、刻蚀时间实现对金属性单壁碳纳米管的刻蚀，留下半导体性单壁碳纳米管，即为产品。