制作半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供前端器件结构，前端器件结构包括衬底、在衬底上的栅介质层、在栅介质层上的伪栅极、以及覆盖栅介质层和伪栅极的刻蚀停止层；在前端器件结构上形成金属前介电层；平坦化金属前介电层至露出刻蚀停止层的上表面；在金属前介电层和刻蚀停止层上形成掩膜层和具有开口图案的光刻胶层，开口图案与伪栅极对齐；以光刻胶层为掩膜对掩膜层进行刻蚀；以刻蚀后的掩膜层为掩膜对刻蚀停止层进行刻蚀，至露出伪栅极的上表面；去除刻蚀后的掩膜层；以及去除伪栅极，以形成填充开口。本发明的方法在制作半导体器件过程中，最终的研磨表面平整，并且改善了刻蚀停止层和金属前介电层的填充能力。

主权项

一种半导体器件的制作方法，包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构包括衬底、在所述衬底上的栅介质层、在所述栅介质层上的伪栅极、以及覆盖所述栅介质层和所述伪栅极的刻蚀停止层；在所述前端器件结构上形成金属前介电层；平坦化所述金属前介电层至露出所述刻蚀停止层的上表面；在所述金属前介电层和所述刻蚀停止层上形成掩膜层和具有开口图案的光刻胶层，所述开口图案与所述伪栅极对齐；以所述光刻胶层为掩膜对所述掩膜层进行刻蚀；以刻蚀后的掩膜层为掩膜对所述刻蚀停止层进行刻蚀，至露出所述伪栅极的上表面；去除所述刻蚀后的掩膜层；以及去除所述伪栅极，以形成填充开口。