一种提高SONOS存储器擦写速度的方法

摘要

本发明提供一种利用沟道应力工程提高SONOS存储器擦写速度的方法，该方法包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成P阱区或N阱区；在所述具有P阱区或N阱区的半导体衬底上形成氧化物层；在半导体衬底和氧化物层中形成浅沟槽隔离（STI）；在NMOS区域将Ge离子注入，再覆盖一层Si，形成SiGe低电场沟道；在阱区和STI之上形成栅极氧化物层和多晶硅层；通过对栅极氧化物层和多晶硅层构图形成控制栅极图形；在控制栅极图形的对侧形成源极区和漏极区。本专利从提高沟道载流子迁移率的角度着手，利用沟道应力工程提高电子迁移率，改善热电子注入机制的SONOS编程效率及速度，非常适于实用。

主权项

一种提高SONOS存储器擦写速度的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：步骤1，提供半导体衬底；步骤2，在半导体衬底上形成P阱区或N阱区；步骤3，在所述具有P阱区或N阱区的半导体衬底上形成氧化物层；步骤4，在半导体衬底和氧化物层中形成浅沟槽隔离（STI）；步骤5，在NMOS区域将Ge离子注入，形成SiGe低电场沟道；步骤6，在阱区和STI之上形成栅极氧化物层和多晶硅层；步骤7，通过对栅极氧化物层和多晶硅层构图形成控制栅极图形；步骤8，在控制栅极图形的对侧形成源极区和漏极区。