| 发明名称 | 图像传感器的空穴型超深光二极管及其工艺方法 | ||
| 摘要 | 一种互补式金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的空穴型超深光二极管及其工艺方法。P型基底接地或连接至负电源。N型外延层生长于P型基底上，且连接至正电源。超深P型光二极管注入区域形成于N型外延层内。使用加热处理以得到平滑且深的掺杂轮廓。 | ||
| 申请公布号 | CN102544031A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010621512.1 | 申请日期 | 2010.12.28 |
| 申请人 | 英属开曼群岛商恒景科技股份有限公司 | 发明人 | 吴扬;郁飞霞 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L31/103(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;蹇炜 |
| 主权项 | 一种互补式金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的空穴型超深光二极管，包含：P型基底，接地或连接至负电源；N型外延层，生长于所述P型基底上，所述N型外延层连接至正电源；及超深P型光二极管注入区域，形成于所述N型外延层内。 | ||
| 地址 | 开曼群岛大开曼 | ||