发明名称 一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池
摘要 本实用新型公开了一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池,其结构为:以超白玻璃为衬底,玻璃板上设一层起阻挡和钝化作用的薄膜,薄膜上层设一层N型多晶硅薄膜,在薄膜的表面设栅状或者梳状铝电极,在多晶硅薄膜内部设由铝电极渗透到多晶硅薄膜内形成的栅状或者梳状肖特基PN结。由于PN结呈栅状或者梳状排布,使有效PN结长度增加,提高了转化效率。比起传统的多晶硅薄膜太阳能电池,本实用新型无论在性能和产业化生产上,都占有相当的优势。
申请公布号 CN202307988U 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN201120367161.6 申请日期 2011.09.23
申请人 刘莹 发明人 刘莹
分类号 H01L31/07(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I 主分类号 H01L31/07(2012.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池,包括透明衬底,设于透明衬底一侧的透明导电极,设于透明导电极上的钝化层,设于钝化层上方的N型多晶硅薄膜层,其特征在于,结构为:a)所述N型多晶硅薄膜上设置有与所述N型基片构成肖特基结的负电极,所述电极部分参与光电转化结构,部分引出电流。b)所述晶硅薄膜表面设置与所述负电极形状适配的正电极,所述正电极与所述N型基片形成欧姆接触,做为引出电流的另一极。
地址 214213 江苏省宜兴市陶都路8号7号楼418室朱炼转刘莹
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