发明名称 半透半反式薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
摘要 本发明公开了一种半透半反式薄膜晶体管阵列基板及其制造方法,涉及液晶显示技术领域,为有效降低制造成本而发明。所述薄膜晶体管阵列基板,包括基板,所述基板上包括第一金属层和第二金属层,第一金属层内设有栅线,第二金属层内设有数据线,所述栅线和数据线之间限定有像素单元,所述像素单元内包括TFT和公共电极、所述像素单元分为反射区和透射区,所述反射区包括反射电极和反射区第二像素电极,所述透射区包括透射区第一像素电极和透射区第二像素电极;所述反射区第二像素电极、所述透射区第一像素电极、所述透射区第二像素电极设置于一个像素电极层。本发明可用于进行液晶显示。
申请公布号 CN102544025A 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN201010620095.9 申请日期 2010.12.31
申请人 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 发明人 孙荣阁;朱修剑;田广彦
分类号 H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 申健
主权项 一种半透半反式薄膜晶体管阵列基板,包括基板,所述基板上包括第一金属层和第二金属层,第一金属层和第二金属层之间设有第一绝缘层,第一金属层内设有栅线,第二金属层内垂直于所述栅线设有数据线,所述栅线和所述数据线之间限定有像素单元,所述像素单元内包括TFT和公共电极,所述像素单元分为反射区和透射区,其特征在于,包括:所述反射区包括反射电极和反射区第二像素电极,所述透射区包括透射区第一像素电极和透射区第二像素电极;所述反射区第二像素电极、所述透射区第一像素电极、所述透射区第二像素电极设置于一个像素电极层。
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号