发明名称 |
半透半反式薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半透半反式薄膜晶体管阵列基板及其制造方法,涉及液晶显示技术领域,为有效降低制造成本而发明。所述薄膜晶体管阵列基板,包括基板,所述基板上包括第一金属层和第二金属层,第一金属层内设有栅线,第二金属层内设有数据线,所述栅线和数据线之间限定有像素单元,所述像素单元内包括TFT和公共电极、所述像素单元分为反射区和透射区,所述反射区包括反射电极和反射区第二像素电极,所述透射区包括透射区第一像素电极和透射区第二像素电极;所述反射区第二像素电极、所述透射区第一像素电极、所述透射区第二像素电极设置于一个像素电极层。本发明可用于进行液晶显示。 |
申请公布号 |
CN102544025A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201010620095.9 |
申请日期 |
2010.12.31 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
发明人 |
孙荣阁;朱修剑;田广彦 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种半透半反式薄膜晶体管阵列基板,包括基板,所述基板上包括第一金属层和第二金属层,第一金属层和第二金属层之间设有第一绝缘层,第一金属层内设有栅线,第二金属层内垂直于所述栅线设有数据线,所述栅线和所述数据线之间限定有像素单元,所述像素单元内包括TFT和公共电极,所述像素单元分为反射区和透射区,其特征在于,包括:所述反射区包括反射电极和反射区第二像素电极,所述透射区包括透射区第一像素电极和透射区第二像素电极;所述反射区第二像素电极、所述透射区第一像素电极、所述透射区第二像素电极设置于一个像素电极层。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |