| 发明名称 | 金属栅极的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种金属栅极的形成方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有牺牲氧化层和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极两侧的半导体衬底上具有侧墙；在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层表面与多晶硅栅极顶部齐平；去除所述多晶硅栅极和牺牲氧化层，形成沟槽；在层间介质层及侧墙上形成金属层，且所述金属层填充满沟槽；在金属层上形成保护层；研磨保护层及金属层至露出层间介质层，形成金属栅极，对所述保护层的研磨速率小于金属层。本发明的形成方法有效防止了在金属层研磨中关键尺寸较大的金属栅极出现凹陷的缺陷，提高了半导体器件的电性能和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102543702A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010604678.2 | 申请日期 | 2010.12.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 蒋莉 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有牺牲氧化层和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极两侧的半导体衬底上具有侧墙；在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层表面与多晶硅栅极顶部齐平；去除所述多晶硅栅极和牺牲氧化层，形成沟槽；在层间介质层及侧墙上形成金属层，且所述金属层填充满沟槽；在金属层上形成保护层；研磨保护层及金属层至露出层间介质层，形成金属栅极，对所述保护层的研磨速率小于金属层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||