| 发明名称 | 一种微晶Si-Sb<sub>x</sub>Te<sub>1-x</sub>复合相变材料及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法，该复合相变材料由微晶态的Si和相变材料SbxTe1-x复合而成，其中0.1≦x≦0.9。可以利用PVD形成非晶Si-SbxTe1-x材料，然后在氢气气氛中退火形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，最后加热脱氢完成该材料的制备。本发明的微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料中，微晶Si的存在能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。同时微晶态的Si改变了相变中电流的分布，有利于降低功耗提高寿命，改善相变存储器的操作稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN102534479A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010591390.6 | 申请日期 | 2010.12.16 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 宋志棠;夏梦姣;饶峰;刘波;封松林 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种微晶Si‑SbxTe1‑x复合相变材料，其特征在于：由微晶态的Si和相变材料SbxTe1‑x复合而成，其中0.1≤x≤0.9。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||