| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有包括薄膜晶体管(TFT)的电路的半导体器件及其制造方法。本发明的目的是连接用两种不相容的膜(ITO膜和铝膜)构成的引线、电极等，同时不增大该引线的横截面面积，并且即使屏幕尺寸变得更大也能够实现低功耗。本发明提供了一种包括上层和下层的双层结构，下层宽度大于上层宽度。第一导电层是用Ti和Mo构成的，第二导电层是用铝(纯净的铝)构成的，第二导电层具有低电阻且位于第一导电层上。从上层的端部突出来的那部分下层与ITO接合。 | ||
| 申请公布号 | CN102544027A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201110418419.5 | 申请日期 | 2005.09.13 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 桧垣欣成;坂仓真之;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 杨洁 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：基板上的薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管之上的第一导电层，所述第一导电层与所述薄膜晶体管的半导体薄膜相接触；在所述第一导电层上的第二导电层；以及在所述薄膜晶体管之上的透明导电膜，其中所述透明导电膜与从所述第二导电层的端部延伸出的所述第一导电层的一部分相接触。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||