| 发明名称 | 存储元件和存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及存储元件和包括多个存储元件的存储装置。所述存储元件依次包括第一电极、存储层和第二电极，所述存储层包括：离子源层，其设置在所述第二电极一侧；电阻变化层，其设置在所述离子源层和所述第一电极之间；及势垒层，其设置在所述电阻变化层和所述第一电极之间，且其电导率高于所述电阻变化层的电导率。由此，本发明提供了能够在保持良好的数据保持特性的同时具有稳定的开关特性的存储元件和存储装置。 | ||
| 申请公布号 | CN102544364A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201110391057.5 | 申请日期 | 2011.11.30 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 曽根威之 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 陈桂香;武玉琴 |
| 主权项 | 一种存储元件，其依次包括第一电极、存储层和第二电极，其中，所述存储层包括：离子源层，其设置在所述第二电极一侧，电阻变化层，其设置在所述离子源层和所述第一电极之间，及势垒层，其设置在所述电阻变化层和所述第一电极之间，且其电导率高于所述电阻变化层的电导率。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||