| 发明名称 |
一种复合结构的有机薄膜晶体管 |
| 摘要 |
一种复合结构的有机薄膜晶体管，涉及一种电子元器，适用于显示器、传感器和无线射频识别标签等技术领域。提高解决了有机薄膜晶体管的性能。该有机薄膜晶体管包括：基底(101)、底栅电极(102)、底栅绝缘层(103)、源电极(104)、漏电极(105)、有机半导体层(106)；在基底(101)上依次为底栅电极(102)、底栅绝缘层(103)、源电极(104)、漏电极(105)、有机半导体层(106)或基底(101)采用重掺杂N++硅片，兼作底栅电极(102)；在所述的有机半导体层(106)上制作顶栅绝缘层(107)、顶栅电极(108)。 |
| 申请公布号 |
CN102544369A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
| 申请号 |
CN201110447806.1 |
申请日期 |
2011.12.28 |
| 申请人 |
北京交通大学 |
发明人 |
陈跃宁;徐征;赵谡玲;尹飞飞 |
| 分类号 |
H01L51/10(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/10(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种复合结构的有机薄膜晶体管，该晶体管包括：基底(101)、底栅电极(102)、底栅绝缘层(103)、源电极(104)、漏电极(105)、有机半导体层(106)；在基底(101)上依次为底栅电极(102)、底栅绝缘层(103)、源电极(104)、漏电极(105)、有机半导体层(106)，若基底(101)采用重掺杂N++硅片，兼作底栅电极(102)；其特征是：在所述的有机半导体层(106)上制作顶栅绝缘层(107)、顶栅电极(108)。 |
| 地址 |
100044 北京市海淀区西直门外上园村3号 |
