发明名称 具有加热器的相变化储存单元及其制造方法
摘要 一种具有薄加热器的储存装置,并在一可程序化电阻变化材料(储存材料)次光刻(光刻)柱上形成一可程序化电阻变化区域,而其中该加热器形成在该顶电极和该可程序化材料之间。在一特定实施例中,一储存材料的次光刻柱为一位于该介电材料层内的硫属化物。当该储存装置程序化或重置时,在该可程序化电阻材料和该顶电极间的一加热器,会在紧邻该加热器处形成一活性区域或可程序化电阻变化区域。
申请公布号 CN101252168B 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN200710180760.5 申请日期 2007.10.12
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 龙翔澜
分类号 H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I 主分类号 H01L45/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汤保平
主权项 一种储存装置,其特征在于,包含:一底电极;一顶电极;一储存材料,位于该底电极与该顶电极之间,其中该储存材料可由加热而被程序化成不同的电阻状态;一加热器,其包含一加热器材料,其中该加热器材料的电阻大于该顶电极的电阻,亦大于该储存材料当中最高电阻状态的电阻值,而该加热器位于该顶电极与该储存材料之间;一可程序化电阻变化区域,其位于所述储存材料中,可由该加热器电阻性地加热而被程序化,以便将该可程序化电阻变化区域由一第一电阻状态转换至一第二电阻状态,其中该可程序化电阻变化区域在邻近该加热器的该储存材料的一部位,由顶电极和底电极间施加电流以便将靠近该加热器的该可程序化电阻变化区域的储存材料次光刻柱的第一部位熔化,以及不会熔化在该加热器远程的该储存材料次光刻柱的第二部位,使得具有通过加热器和储存材料次光刻柱让顶电极与底电极电性耦接的储存 装置来设定或重置。
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号