| 发明名称 | 具有对所发射的辐射能透射的导电接触层的发射辐射的半导体本体 | ||
| 摘要 | 根据本发明的一种芯片(100)，包括至少一个半导体本体(4)，其具有发射辐射的区域；和至少一个第一接触区(5)，其被设置用于电接触半导体本体(4)并且在横向上同发射辐射的区域相间隔；此外还包括对所发射的辐射能透射的导电的第一接触层(1)，其将半导体本体(4)的位于芯片(100)的辐射出射侧上的表面与第一接触区(1)相连接，其中该表面没有吸收辐射的接触结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101617414B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN200880005826.X | 申请日期 | 2008.01.31 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | R·沃思 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L27/15(2006.01)I;H01L25/075(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 卢江;刘春元 |
| 主权项 | 芯片(100)，具有：至少一个半导体本体(4)，其具有发射辐射的区域；至少一个第一接触区(5)，其被设置用于电接触半导体本体(4)并且在横向上同发射辐射的区域相间隔；以及对所发射的辐射能透射的导电的第一接触层(1)，其将半导体本体(4)的位于芯片(100)的辐射出射侧(10)上的表面(9)与第一接触区(5)相连接，其中表面(9)没有吸收辐射的接触结构。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||