应用互补金属氧化物半导体技术的静电释放保护

摘要

本发明公开了一种静电释放(electrostatic discharge，简写ESD)保护电路，其包括一个触发二极管。所述出发二极管包括一个P级(P-grade，简写PG)区和一个N阱之间的联结点。所述PG区具有和一个P通道金属氧化半导体(PMOS)晶体管的P漏极相等的掺杂剂轮廓，所述PMOS晶体管具有一个击穿电压(用V代表)，当使用的电压高于击穿电压V时，所述触发二极管用于传导电流。在一个实施例中，PG区的掺杂剂轮廓包括两个掺杂剂注入轮廓，一个为具有较高掺杂剂浓度的浅注入轮廓，另一个为具有较低掺杂剂浓度的深注入轮廓。

主权项

一种静电释放保护电路，其特征在于，包含一个触发二极管；所述触发二极管包括一个位于P级区和N‑阱之间的联结点；所述P级区的掺杂剂轮廓与P通道金属氧化半导体晶体管的P‑漏极的掺杂剂轮廓相等；所述P通道金属氧化半导体晶体管具有一个击穿电压，当使用的电压高于该击穿电压时，所述触发二极管引导电流；P级区的掺杂剂轮廓进一步包括两个掺杂剂轮廓，即一个掺杂剂浓度大约在5E19ions/cm3、深度小于0.5微米的较高掺杂剂浓度的浅掺杂剂轮廓和一个掺杂剂浓度大约在1E18ions/cm3、深度大约1.0微米的具有较低掺杂剂浓度的深掺杂剂轮廓，从而提供一个在15～25v范围内的击穿电压。