| 发明名称 | 去磷硅玻璃控制扩散方块电阻 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种去磷硅玻璃控制扩散方块电阻，包括设置在P型硅区域和磷硅玻璃层之间的N型硅区域，所述N型硅区域的厚度≤1μm；与现有技术相比，本实用新型的方块电阻值提高，有利于解决由于返工片引起的效率偏低的问题。降低生产成本，更加高效利用去磷硅玻璃清洗液。 | ||
| 申请公布号 | CN202307915U | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201120424859.7 | 申请日期 | 2011.10.31 |
| 申请人 | 上海索日新能源科技有限公司 | 发明人 | 黄兴 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人 | 马家骏 |
| 主权项 | 去磷硅玻璃控制扩散方块电阻，包括设置在P型硅区域和磷硅玻璃层之间的N型硅区域，其特征在于，所述N型硅区域的厚度≤1um。 | ||
| 地址 | 201501 上海市金山区枫泾镇兴坊路565号3幢308室 | ||