| 发明名称 | 无氮介电抗反射薄膜的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种无氮介电抗反射薄膜的制作方法，包括：将反应气体通入排气管道直至稳定，将反应气体通入反应腔中，再开启电浆；或先开启电浆，再将反应气体通入反应腔中，利用通入反应气体和开启电浆之间有时间延迟，完成无氮介电抗反射薄膜的沉积，最后先关闭反应气体，再关闭电浆。本发明可有效控制无氮介电抗反射薄膜的反射率及消光系数，并得到较直的光阻形状及大大消除光阻驻波效应及光阻中毒效应。 | ||
| 申请公布号 | CN102543715A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201210050770.8 | 申请日期 | 2012.02.28 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 陈建维;张旭升 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种无氮介电抗反射薄膜的制作方法，其特征在于，包括：将反应气体通入排气管道直至稳定；将反应气体通入反应腔中，开启电浆，其中，通入反应气体和开启电浆之间有时间延迟；进行无氮介电抗反射薄膜的沉积；关闭反应气体；关闭电浆。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||