| 发明名称 | 非易失性存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及非易失性存储器及其制造方法。一种非易失性存储器，包括：衬底；在所述衬底上的控制栅电极；以及在所述控制栅电极和所述衬底之间的电荷存储区域。控制栅掩模图案位于所述控制栅电极上，所述控制栅电极包括控制基础栅和在所述控制基础栅上的控制金属栅。所述控制金属栅的宽度小于所述控制栅掩模图案的宽度。抗氧化间隔物位于所述控制栅掩模图案和所述控制基础栅之间在所述控制金属栅的侧壁处。 | ||
| 申请公布号 | CN102544017A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201110378154.0 | 申请日期 | 2011.11.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金珉澈;沈载煌;宋尚彬 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 冯玉清 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器，包括：衬底；在所述衬底上的控制栅电极，所述控制栅电极包括控制基础栅和在所述控制基础栅上的控制金属栅；在所述控制栅电极和所述衬底之间的电荷存储区；在所述控制栅电极上的控制栅掩模图案，所述控制金属栅的宽度小于所述控制栅掩模图案的宽度；以及位于所述控制栅掩模图案和所述控制基础栅之间且在所述控制金属栅的侧壁处的抗氧化间隔物。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||