| 发明名称 | 圆片级封装优化工艺 | ||
| 摘要 | 一种圆片级封装优化工艺，包括：在芯片的焊盘上形成键合金属凸块，所述键合金属凸块高于钝化层表面；在芯片上形成保护胶，所述保护胶将钝化层和键合金属凸块覆盖；研磨保护胶层，使键合金属凸块的表面裸露；在裸露的键合金属凸块表面上形成焊料凸点并回流。本发明工艺具有流程短、易管控、低成本、高性能的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102543781A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201210014210.7 | 申请日期 | 2012.01.17 |
| 申请人 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 发明人 | 石磊;吴晓纯;陶玉娟;高国华 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人 | 雷志刚;潘士霖 |
| 主权项 | 一种圆片级封装优化工艺，其特征在于，包括步骤：在芯片的焊盘上形成键合金属凸块，所述键合金属凸块高于钝化层表面；在芯片上形成保护胶，所述保护胶将钝化层和键合金属凸块覆盖；研磨保护胶层，使键合金属凸块的表面裸露；在裸露的键合金属凸块表面上形成焊料凸点并回流。 | ||
| 地址 | 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 | ||