发明名称 | 一种大规模红外焦平面探测器铟柱生长方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种大规模红外焦平面探测器铟柱生长方法,所述方法包括:步骤1,在红外焦平面探测器芯片上涂覆设定厚度的光刻胶;步骤2,对涂覆的光刻胶进行全面曝光处理;步骤3,在曝光后的光刻胶上继续涂覆设定厚度的光刻胶;步骤4,利用光刻机对涂覆的光刻胶进行光刻处理;步骤5,在光刻处理后的红外焦平面探测器芯片上沉积铟后剥离光刻胶,得到生长的铟柱。本发明所述方法利用两层光刻胶进行铟柱的剥离,使得铟柱底部没有残渣、形貌一致性好,进而有效提高了探测器芯片和读出电路倒装焊接的连通率,以及有效降低了探测器的盲元率。 | ||
申请公布号 | CN102544217A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
申请号 | CN201210011829.2 | 申请日期 | 2012.01.16 |
申请人 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 发明人 | 白谢辉;郭喜;支淑英 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人 | 梁军 |
主权项 | 一种大规模红外焦平面探测器铟柱生长方法,其特征在于,包括:步骤1,在红外焦平面探测器芯片上沉积光刻胶;步骤2,对沉积的光刻胶进行全面曝光处理;步骤3,在曝光后的光刻胶上继续沉积光刻胶;步骤4,利用光刻机对沉积的光刻胶进行光刻处理;步骤5,在光刻处理后的芯片上沉积铟后剥离光刻胶,得到生长的铟柱。 | ||
地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号 |