发明名称 |
光电二极管装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种光电二极管装置及其制造方法,光电二极管装置包含基板;外延层于该基板上,该外延层包含窗口层及覆盖层位于该窗口层上,该覆盖层覆盖该窗口层的一部分;及图案化导电层于该覆盖层上,该图案化导电层具有底部面积大于其顶部面积的形状。 |
申请公布号 |
CN102544139A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201010603198.4 |
申请日期 |
2010.12.23 |
申请人 |
太聚能源股份有限公司 |
发明人 |
吴展兴;涂永义;吴善华 |
分类号 |
H01L31/04(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种光电二极管装置的制造方法,包含:提供晶片,包含基板及外延层,该外延层包含窗口层及覆盖层位于该窗口层上;沉积图案化导电层于该外延层上,该图案化导电层具有自该图案化导电层的底部沿水平方向延伸的足部结构,该足部结构的厚度等于或小于该图案化导电层厚度的十五分之一;以及去除该足部结构的一部分;以及蚀刻该覆盖层的一部分以使该窗口层露出。 |
地址 |
中国台湾新竹县 |