| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列面板 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板。该薄膜晶体管阵列面板包括：绝缘基板；栅线，设置在绝缘基板上并具有栅电极；第一栅绝缘层，设置在栅线上且由硅氮化物制成；第二栅绝缘层，设置在第一栅绝缘层上且由硅氧化物制成；氧化物半导体，设置在第二栅绝缘层上；数据线，设置在氧化物半导体上且具有源电极；漏电极，设置在氧化物半导体上且面对源电极；以及像素电极，连接到漏电极。第二栅绝缘层的厚度可以在从200<img file="dda0000088856680000011.GIF" wi="44" he="50" />至500<img file="dda0000088856680000012.GIF" wi="44" he="50" />的范围。 | ||
| 申请公布号 | CN102544026A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201110259413.8 | 申请日期 | 2011.09.05 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 崔永株;李禹根;尹甲洙;金己园;陈尚完;宋栽沅;朱迅 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；栅线，设置在所述基板上且包括栅电极；第一栅绝缘层，设置在所述栅线上且包括硅氮化物；第二栅绝缘层，设置在所述第一栅绝缘层上且包括硅氧化物；氧化物半导体，设置在所述第二栅绝缘层上；数据线，设置在所述氧化物半导体上且包括源电极；漏电极，设置在所述氧化物半导体上且面对所述源电极；以及像素电极，连接到所述漏电极，其中所述第二栅绝缘层的厚度大于或等于200<img file="FDA0000088856650000011.GIF" wi="44" he="50" />且小于500<img file="FDA0000088856650000012.GIF" wi="60" he="52" /> | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||