半导体发光芯片制造方法

摘要

一种半导体发光芯片制造方法，其包括如下步骤：提供具有第一阻挡层的基板，该基板顶面被第一阻挡层分隔出生长区域；在基板的生长区域内形成蔓延至第一阻挡层的第一半导体层；在第一半导体层顶面形成第二阻挡层，该第二阻挡层部分覆盖第一半导体层顶面；在第一半导体层顶面形成蔓延至第二阻挡层的发光结构层；去除第一阻挡层及第二阻挡层而在第一半导体层底面与基板顶面之间以及第一半导体层顶面与发光结构层底面之间形成多个空隙；沿空隙蚀刻第一半导体层及发光结构层，使第一半导体层及发光结构层均呈现出宽度自上至下逐渐增大的形状。该方法可在低温条件下进行，从而确保制程的稳定性。

主权项

一种半导体发光芯片制造方法，包括如下步骤：1)提供具有第一阻挡层的基板，该基板顶面被第一阻挡层分隔出生长区域；2)在基板的生长区域内形成蔓延至第一阻挡层顶面的第一半导体层；3)在第一半导体层顶面形成第二阻挡层，该第二阻挡层部分覆盖第一半导体层顶面；4)在第一半导体层顶面形成蔓延至第二阻挡层顶面的发光结构层；5)去除第一阻挡层及第二阻挡层而在第一半导体层底面与基板顶面之间以及第一半导体层顶面与发光结构层底面之间形成空隙；6)沿空隙蚀刻第一半导体层及发光结构层，使第一半导体层及发光结构层均呈现出宽度自上至下逐渐减小的形状。