在斜缘附近成形气体分布的方法和设备

摘要

提供一种在处理室中蚀刻基片斜缘的方法。该方法包括将惰性气体流进限定在该基片中心区域上方的该处理室中心区域，将惰性气体和处理气体的混合物流到该基片的边缘区域上方。该方法进一步包括在该边缘区域中激发等离子，其中该惰性气体的流量以及该混合物的流量维持该处理气体的质量分数基本上不变。还提供一种构造为清洁基片斜缘的处理室。

主权项

一种在处理室中蚀刻基片斜缘的方法，包括：将惰性气体流进限定在该基片中心区域上方的该处理室的中心区域；将惰性气体和处理气体的混合物流到该基片的边缘区域上方；在该边缘区域中激发等离子，其中，流进该中心区域的该惰性气体的流量和该混合物的流量维持该处理气体的质量分数在0.1至0.2之间。