发光二极管晶粒及其制作方法

摘要

一种发光二极管晶粒及其制作方法，该制作方法包括在一基板上形成图案化磊晶阻挡层；在图案化磊晶阻挡层上生长n型半导体层，在n型半导体层未完全覆盖图案化磊晶阻挡层时停止生长该n型半导体层；将图案化磊晶阻挡层去除，在原图案化磊晶阻挡层的位置遗留下孔洞；继续在孔洞上生长n型半导体层直至该n型半导体层完全覆盖所述第一组孔洞；在该n型半导体层上形成发光结构。

主权项

一种发光二极管晶粒的制作方法，其包括以下步骤：提供一基板，所述基板上形成有第一图案化磊晶阻挡层；在基板具有第一图案化磊晶阻挡层的一面生长第一n型半导体层，在第一n型半导体层未完全覆盖第一图案化磊晶阻挡层时停止生长该第一n型半导体层；将第一图案化磊晶阻挡层去除，在原第一图案化磊晶阻挡层的位置遗留下第一组孔洞；继续在第一组孔洞上生长第一n型半导体层直至该第一n型半导体层完全覆盖所述第一组孔洞；在第一n型半导体层上形成发光结构。