发明名称 一种升降压斩波电路拓扑结构
摘要 本发明公开了一种升降压斩波电路拓扑结构,其第一开关管V1与电感L及第二开关管V2串联后并联在电源Us上,第一二极管D1与第二电容C2及第二二极管D2串联后并联在电感L两端,第一电容C1并联在第一开关管V1与电感L及第二二极管D2组成的支路上,第三电容C3并联在第二开关管V2与电感L及第一二极管D1组成的支路上,负载RL并联在第二电容C2上。本发明中开关管V1、V2所承受的电压应力较小仅为(Us+Uo)/2,电容C1、C3所承受的平均电压是(Us-Uo)/2,降低了对电容电压应力的要求,因此本发明可以适应更高的电压场合,延长使用寿命、降低成本。
申请公布号 CN101674014B 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN200910044401.6 申请日期 2009.09.25
申请人 株洲南车时代电气股份有限公司 发明人 林文彪;吴强;刘旭君
分类号 H02M3/145(2006.01)I 主分类号 H02M3/145(2006.01)I
代理机构 长沙新裕知识产权代理有限公司 43210 代理人 刘熙;黄键
主权项 一种升降压斩波电路拓扑结构,包括电源Us、第一开关管V1、第二开关管V2、电感L、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3以及负载RL:其中第一开关管V1与电感L及第二开关管V2顺次串联后并联在电源Us上,第一二极管D1与第二电容C2及第二二极管D2顺次串联后并联在电感L两端,第一电容C1并联在第一开关管V1与电感L及第二二极管D2组成的支路上,第三电容C3并联在第二开关管V2与电感L及第一二极管D1组成的支路上,负载RL并联在第二电容C2上。
地址 412000 湖南省株洲市石峰区田心北门