一种存储器装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法。此装置包括具有第一与第二区域的基底。第一区域包括第一场效应晶体管。第一场效应晶体管包括：基底内的被水平通道区隔开的第一与第二掺杂区；栅极，位于水平通道区上；第一介电层，覆盖栅极。第二区域包括第二场效应晶体管。第二场效应晶体管包括：第一端，穿过第一介电层而延伸以接触基底；第二端，位于第一端上且具有顶面；垂直通道区，将第一端与第二端隔开。第二场效应晶体管还包括位于第一介电层上且邻近垂直通道区的栅极。栅极具有与第二端的顶面共面的顶面。第二介电层将栅极与垂直通道区隔开。

主权项

一种存储器装置，其特征在于，包括：一基底，具有一第一区域与一第二区域；所述第一区域包括：一第一场效应晶体管，包括位于所述基底内的一第一掺杂区与一第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区被一水平通道区隔开，所述第一场效应晶体管的一栅极位于所述水平通道区上面，且一第一介电层覆盖着所述第一场效应晶体管的所述栅极；所述第二区域包括：一第二场效应晶体管，包括：一第一端，穿过所述第一介电层而延伸以接触所述基底；一第二端，位于所述第一端上面，且具有顶面；一垂直通道区，将所述第一端与所述第二端隔开；所述第二场效应晶体管的一栅极，位于所述第一介电层上面且邻近所述垂直通道区，所述第二场效应晶体管的所述栅极具有与所述第二端的顶面共面的顶面；以及一第二介电层，将所述第二场效应晶体管的所述栅极与所述垂直通道区隔开。