发明名称 一种AgTiB<sub>2</sub>触头材料的制备方法
摘要 本发明公开了一种AgTiB2触头材料的制备方法,该方法以高纯度的Ag粉和TiB2粉为原料,通过对原材料TiB2粉球磨,随后与Ag粉进行混粉;然后在压力机下进行压制,最后对压坯进行真空烧结,即制得AgTiB2触头材料。与传统粉末冶金技术相比,本发明的制备方法可显著提高AgTiB2触头材料的的致密度和硬度,从而使耐电弧侵蚀性能得到了提高。
申请公布号 CN102534280A 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN201210036775.5 申请日期 2012.02.17
申请人 西安理工大学 发明人 王献辉;张天明;邹军涛;梁淑华;刘马宝;刘启达
分类号 C22C1/05(2006.01)I;C22C5/06(2006.01)I;C22C32/00(2006.01)I;H01H1/023(2006.01)I;H01H11/04(2006.01)I 主分类号 C22C1/05(2006.01)I
代理机构 西安弘理专利事务所 61214 代理人 李娜
主权项 一种AgTiB2触头材料的制备方法,其特征在于,按以下步骤实施:步骤1,球磨将平均粒径为1~10μm、纯度不低于99.9%的TiB2颗粒在高能球磨机中球磨,并在球磨机中添加过程控制剂,控制球磨机转速为150~400rpm,球磨时间为60~120h;步骤2,混粉将步骤1球磨好的TiB2颗粒与平均粒径为50~100μm、纯度不低于99.99%的Ag粉在混料机中进行混合,TiB2颗粒占TiB2颗粒与Ag粉总质量的0.1~10%,混粉时间为1~5h;步骤3,压制将经步骤2混合好的粉末进行冷压,压强为200~400MPa,保压时间为10~40s;步骤4,烧结将经过步骤3压制的压坯置于高温真空烧结炉中,先对炉内抽真空,保证炉体内的真空度不低于10‑3Pa,然后对炉内进行加热,当炉内温度达到400℃~600℃时,保温30min;再升温到600℃~700℃时,保温30min;再继续升温到最终烧结温度700℃~900℃时,保温120min后,随炉自然冷却到室温,即获得AgTiB2触头材料。
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