| 发明名称 | 一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于微电子技术领域，具体为一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法。锗器件因其高载流子迁移率、可实现低等效氧化层厚度以及与现有工艺的高兼容性等优点，成为目前注目的焦点，但锗严重的表面费米能级钉扎效应却是制约着制备高性能锗基N型MOS器件的问题之一。本发明通过NH3等离子处理锗衬底的方法，在表面形成GeOxNy(x=0.92,y=0.08)介质层，成功实现解钉扎效应，且由于GeON与Ge较小的能量偏移，使得制备的金属/GeON/Ge样品具有较低的接触电阻，因而具有良好的应用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN102543755A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201210004176.5 | 申请日期 | 2012.01.09 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 蒋玉龙;于浩;谢琦;茹国平;屈新萍;李炳宗;张卫 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种实现金属‑锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法，其特征在于是在金属‑锗接触中的锗衬底表面，通过NH3等离子体处理的方法形成一层厚度为小于1nm的GeOxNy层，x=0.92,y=0.08，在修复锗衬底表面界面态的同时抑制电极金属功函数尾部向锗衬底的渗透。 | ||
| 地址 | 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 | ||