一种具有冗余电路的相变存储器及其实现冗余的方法

摘要

本发明公开了一种具有冗余电路的相变存储器，包括P个冗余行或Q个冗余列、信息存储电路、行或列开关选择电路；每一行或列控制线连接有P+1个行开关或Q+1个列开关；第0个行或列开关串联在所在行或列控制线上；第1到第P个行开关或第1到第Q个列开关的一端连接到所在行或列控制线，另一端依次连接到下1到P行或Q列控制线上；每一个行或列开关对应一个信息存储电路；行或列开关选择电路与所有信息存储电路相连；所有信息存储电路与写入电路相连；当测试出存储阵列某一行或列有缺陷时，在信息存储电路存储开关导通或关断信息，并控制对应的行开关或列开关，实现用无缺陷行或列快速替换有缺陷行或列。本发明同时公开了该相变存储器实现冗余的方法。

主权项

一种具有冗余电路的相变存储器，包括写入电路、存储阵列及P个冗余行或Q个冗余列，其特征在于：还包括多个信息存储电路、行或列开关选择电路；所述P个冗余行或Q个冗余列连续排列于存储阵列的行或列之后；所述存储阵列的每一行控制线连接有P+1个行开关或每一列控制线连接有Q+1个列开关；所述第0个行开关或列开关串联在所在行或列控制线上；第1到第P个行开关或第1到第Q个列开关的一端连接到所在行或列控制线，另一端依次连接到所在行或列的下1到P行或1到Q列控制线上；所述每一个行开关或每一个列开关对应连接一个信息存储电路；所述行或列开关选择电路与所有信息存储电路相连；所述所有信息存储电路与写入电路相连；当测试出存储阵列某一行或列有缺陷时，先通过行或列开关选择电路，针对有缺陷行或列及有缺陷行或列后的所有行或列，选择当前闭合的行开关或列开关对应的信息存储电路，由写入电路在选择的信息存储电路中存储行或列开关关断信息，且所述信息存储电路输出开关控制信号，关断对应的行开关或列开关；再通过行或列开关选择电路，针对有缺陷行或列及有缺陷行或列后的所有行或列，选择一个与无缺陷行或列相连的、相同序号的行开关或列开关对应的信息存储电路，由写入电路在选择的信息存储电路中存储行或列开关导通信息，且所述信息存储电路输出开关控制信号，导通对应的行开关或列开关。