| 发明名称 | 锗硅HBT结构、其赝埋层结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种SiGe HBT的制造方法，包括如下步骤：1)在P型衬底硅片上进行浅沟槽刻蚀；2)进行赝埋层的第一道注入，注入杂质为硼；3)进行赝埋层的第二道注入，注入杂质为铟；4)在浅沟槽内填入氧化硅形成场氧区；用光刻定义集电区，在有源区中进行离子注入形成集电区，再进行热推阱工艺，形成热扩散之后的赝埋层硼分布以及赝埋层铟分布；5)进行后续工艺，包括形成基区、发射区、在赝埋层顶部的场氧区中形成深接触孔引出集电极和金属连线，SiGe HBT器件最终形成。此外，本发明还公开了采用上述方法形成的赝埋层结构和SiGe HBT结构。本发明实现了深接触孔与赝埋层良好的欧姆接触，也降低了赝埋层的方块电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN102543727A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010596273.9 | 申请日期 | 2010.12.20 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈帆;毛文铭;刘东华 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种SiGe HBT的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在P型衬底硅片上进行浅沟槽刻蚀；2)进行赝埋层的第一道注入，注入杂质为硼；3)进行赝埋层的第二道注入，注入杂质为铟；4)在浅沟槽内填入氧化硅形成场氧区；用光刻定义集电区，在有源区中进行离子注入形成集电区，再进行热推阱工艺，形成热扩散之后的赝埋层硼分布以及赝埋层铟分布；5)进行后续工艺，包括形成基区、发射区、在赝埋层顶部的场氧区中形成深接触孔引出集电极和金属连线，完整的SiGe HBT器件最终形成。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||