| 发明名称 | 具有分离栅极和超级连接结构的半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有分离栅极和超级连接结构的半导体元件。该半导体元件包括一源极区域、一漏极区域与一漂移区域。漂移区域介于源极区域与漏极区域之间。一分离栅极设置于漂移区域的一部份的上方处，且介于源极区域与漏极区域之间。分离栅极包括第一与第二栅极电极，通过一栅极氧化层区分第一与第二栅极电极。一超级连接结构设置于漂移区域中，且超级连接结构位于栅极与漏极区域之间。 | ||
| 申请公布号 | CN102544090A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010583417.7 | 申请日期 | 2010.12.07 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吴锡垣;陈永初;朱建文 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种半导体元件，其特征在于，包括：一源极区域；一漏极区域；一漂移区域，介于该源极区域及该漏极区域之间；一分离栅极，设置于该漂移区域的一部份之上，且该分离栅极位于该源极区域及该漏极区域之间，该分离栅极包括一第一栅极电极及一第二栅极电极，该第一栅极电极及该第二栅极电极通过一栅极氧化层隔离；以及一超级连接结构，设置于该漂移区域中，且该超级连接结构位于该分离栅极及该漏极区域之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||