半导体装置及其制造方法和发光器件

摘要

本发明提供了一种半导体装置，包括：衬底；缓冲层，位于衬底之上；籽晶层，位于缓冲层之上；第一掩模层，位于籽晶层之上；第一外延层，由籽晶层穿过所述第一窗口区侧向生长形成，位于第一掩模层之上，并覆盖第一窗口区；第二掩模层，位于第一外延层之上；以及第二外延层，由第一外延层侧向生长形成，位于所述第一外延层之上。本发明还提供了一种具有上述半导体装置的发光器件。本发明还提供了用于制造上述半导体装置的方法。在上述技术方案中，由于采用两次侧向覆盖外延技术，可以有效地降低外延层中的位错密度。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：LED衬底(302)；缓冲层(304)，生长于所述LED衬底(302)之上；籽晶层(306)，生长于所述LED缓冲层(304)之上；第一掩模层(310)，位于所述籽晶层(306)之上，所述第一掩模层(310)包括多个第一掩模条(312)和由两个相邻的所述第一掩模条(312)限定的第一窗口区(314)，所述第一窗口区(314)露出所述籽晶层(306)的一部分；第一外延层(308)，由所述籽晶层(306)穿过所述第一窗口区(314)侧向生长形成，位于所述第一掩模层(310)之上，覆盖所述第一窗口区(314)；第二掩模层(318)，位于所述第一外延层(308)之上，所述第二掩模层(318)包括多个第二掩模条(320)和由两个相邻的所述第二掩模条(320)限定的第二窗口区(322)，所述第二窗口区(322)位于所述第一掩模条(312)的上方，所述第二掩模条(320)位于所述第一窗口区(314)的上方；以及第二外延层(324)，由所述第一外延层(308)穿过所述第二窗口区(322)侧向生长形成，位于所述第二掩模层(318)之上，覆盖所述第二窗口区(322)。