发明名称 一种多晶硅薄膜材料的制造方法
摘要 本发明提供一种多晶硅薄膜材料的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1):选定衬底,在该衬底上形成第一阻挡层;步骤2):在所述第一阻挡层上依次形成金属诱导层、第二层阻挡层和非晶硅层;步骤3):对步骤2)所得产物进行第一退火处理,得到已部分晶化的薄膜;步骤4):在上述已部分晶化的薄膜上形成金属吸附层;步骤5):对步骤2)所得产物进行第二退火处理;步骤6):去除经所述第二退火处理后的金属吸附层。本发明金属诱导层先于非晶硅形成,位于两层阻挡层间,且因制备的阻挡层上刻有槽型结构而与非晶硅层的距离不一致且非常小,这对于缩短热处理时间、提高晶粒尺寸、控制诱导金属往非晶硅层扩散启到了关键作用。
申请公布号 CN101834122B 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN201010111994.6 申请日期 2010.02.09
申请人 广东中显科技有限公司 发明人 彭俊华;黄飚;黄宇华
分类号 H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 主分类号 H01L21/20(2006.01)I
代理机构 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人 王勇
主权项 一种多晶硅薄膜材料的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1):选定衬底,在该衬底上形成第一阻挡层,所述第一阻挡层包括多个凹槽和位于凹槽之间的凸起部分,其中相邻两个凸起部分之间的间距为10~100微米,凸起的高度为1~5纳米,所述凸起部分的截面为矩形或梯形形状;步骤2):在所述第一阻挡层上依次形成金属诱导层、第二层阻挡层和非晶硅层;步骤3):对步骤2)所得产物进行第一退火处理,得到已部分晶化的薄膜;步骤4):在上述已部分晶化的薄膜上形成金属吸附层;步骤5):对步骤2)所得产物进行第二退火处理;步骤6):去除经所述第二退火处理后的金属吸附层。
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